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Baierhofer, Daniel - Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente
De vraag gaat over de volgende titel:
| Schrijver: | Baierhofer, Daniel |
|---|---|
| Titel: | Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente |
| ISBN: | 9783961476190 |
| Uitgever: | FAU University Press |
| Bijzonderheid: | 2023 243pp Paperback / softback |
| Prijs: |
€ 47,60
Gratis
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| Meer info | Flaptekst Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit. |
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