Stel een vraag
Met het formulier hier onder kunt u contact op nemen met boekwinkel Boekstra.
Luo, Peng - GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements
De vraag gaat over de volgende titel:
Afbeelding: | |
---|---|
Schrijver: | Luo, Peng |
Titel: | GaN HEMT Modeling Including Trapping Effects Based on Chalmers Model and Pulsed S-Parameter Measurements |
ISBN: | 9783736999060 |
Uitgever: | Cuvillier Verlag |
Bijzonderheid: | 2019 160pp Paperback / softback |
Prijs: |
€ 52,00
Gratis
|
Meer info | Annotatie GaN HEMTs are regarded as one of the most promising RF power transistor technologies thanks to their high-voltage high-speed characteristics. However, they are still known to be prone to trapping effects, which hamper achievable output power and linearity. Hence, accurately and efficiently modeling Flaptekst GaN HEMTs are regarded as one of the most promising RF power transistor technologies thanks to their high-voltage high-speed characteristics. However, they are still known to be prone to trapping effects, which hamper achievable output power and linearity. Hence, accurately and efficiently modeling the trapping effects is crucial in nonlinear large-signal modeling for GaN HEMTs. |
Boek bekijken |
Verzendkosten 1,75 euro per zending binnen Nederland, vanaf 19,90 euro GEEN verzendkosten binnen Nederland.
Verzendkosten Belgiƫ 3,95 euro per zending.
Bij bestellingen van 10 euro of minder zijn de verzendkosten hoger; zie vermelding bij het boek.
Speciale verzoeken? Meestal geen punt, vermeld ze in het veld opmerking.
De actuele levertijd kunt u vinden op onze website.
De verkoper zal binnen 1 werkdag contact met u opnemen om de koop verder af te handelen.