Stel een vraag
Met het formulier hier onder kunt u contact op nemen met boekwinkel Boekstra.
Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA) - SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices
De vraag gaat over de volgende titel:
| Afbeelding: |
|
|---|---|
| Schrijver: | Cressler, John D. (Georgia Institute of Technology, Atlanta, USA) |
| Titel: | SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy for Silicon Heterostructure Devices |
| ISBN: | 9781420066852 |
| Uitgever: | Taylor & Francis Inc |
| Bijzonderheid: | 2007 262pp Gebonden |
| Prijs: |
€ 184,40
Gratis
|
| Meer info | Flaptekst Focuses on the materials science aspects of silicon heterostructure. This book defines the various advances in the Si-SiGe strained-layer epitaxy for device applications. It covers modern SiGe epitaxial growth techniques, EPI defects and dopant diffusion in thin films, stability constraints, and electronic properties of SiGe and Si-C alloys. |
| Boek bekijken | |
Verzendkosten 1,75 euro per zending binnen Nederland, vanaf 19,90 euro GEEN verzendkosten binnen Nederland.
Verzendkosten België 3,95 euro per zending.
Bij bestellingen van 10 euro of minder zijn de verzendkosten hoger; zie vermelding bij het boek.
Speciale verzoeken? Meestal geen punt, vermeld ze in het veld opmerking.
De actuele levertijd kunt u vinden op onze website.
De verkoper zal binnen 1 werkdag contact met u opnemen om de koop verder af te handelen.